Silicio pagrindu pagamintoms mikroschemoms yra daugiau nei 50 metų, ir, kai kurių mokslininkų teigimu, greitu metu turėtų užleisti vietą daug perspektyvesnėms medžiagoms. Šiuo atveju labai daug tikimasi iš grafeno, o mikroschemų kūrėjai jau intensyviai tyrinėja šios medžiagos privalumus.
Tam tikrų laimėjimų, „prisijaukinant“ grafeną, maždaug prieš metus pasiekė kompanija IBM: tuomet buvo sukurtas mikroprocesorius, kuris dirbo 10 GHz taktiniu dažniu, o taip pat atskiri tranzistoriai, kurių persijungimo sparta siekė 145 GHz. Tuo tarpu grafeno lauko tranzistoriai, iš kurių turi būti formuojamos mikroschemos, kol kas dar nėra labai tinkami serijinei gamybai, kadangi pasižymi gana dideliu elektros įtampos nuotėkiu, todėl nėra galimybės suteikti dvejopos būsenos, kuri tinkama dvejetainiai logikai.
Šiai problemai išspręsti specialistai iš kompanijos „Samsung“ pasinaudojo silicio ir grafeno kombinacija, kad būtų sukurtas vadinamasis „Shottkey“ barjeras, rašo Phys.org. Šis mechanizmas leidžia „atjungti“ įtampą tranzistoriuose, kartu neribojant grafeno tokio jo privalumo, kaip didelis elektronų paslankumas. Tokiu būdu gautas iš puslaidininkių pagamintas įrenginys pavadintas baristoriumi (barristor).
Savo išradimui kompanija „Samsung“ gavo 9 patentus, kurie aprašo baristoriaus struktūrą ir funkcionavimo mechanizmą. Matyt, P. Korėjos elektronikos giganto specialistams pavyko išspręsti vieną iš sunkiausių problemų, kuri trukdė panaudoti grafeną puslaidininkių pramonėje. Dabar lauksime naujos informacijos, kada gi galėtų tokios mikroschemos pasirodyti serijiniuose produktuose. Juo labiau, kad „Samsung“ mokslininkai jau pademonstravo veikiančią baristoriaus schemą, kuri kol kas gali atlikti tik sudėties operacijas.
