Internetinėje žiniasklaidoje pasirodė pranešimų apie naujų bendrovės „Intel" mikroprocesorių gamybos technologijų diegimo planus, skelbia „Computerbase.de".
Pranešama, kad 2013 m. „Intel" ketina pradėti lustų gamybą naudojant 14 nanometrų technologinį procesą. Juos turėtų gaminti būsimoji „Intel" gamykla „Fab 42", kurios statyba Arizonos valstijoje (JAV) bus pradėta kitų metų viduryje. Pradėjus veikti šiai gamyklai bus naudojamos 300 mm silicio plokštelės.
Dar po 2 metų, 2015-aisiais, „Intel" planuoja pradėti serijinę procesorių gamybą remiantis 10 nanometrų technologija. Tokia miniatiūrizacija suteiks galimybę diegti lustuose naujas funkcijas ir galimybes, kurios ne tik prailgins autonominį elektroninių įrenginių veikimo laiką, bet ir sumažins produktų savikainą.
Artimiausioje perspektyvoje ketinama pradėti „Ivy Bridge" šeimos procesorių gamybą pagal 22 nanometrų technologinį procesą. Jų pagrindu bus „Tri-Gate" trijų užtūrų vadinamieji erdviniai tranzistoriai. „Tri-Gate" technologija leis gaminti procesorius, veiksiančius esant mažesnėms įtampoms ir mažesniam srovės nuotėkiui. Skelbiama, kad „Ivy Bridge" procesorių anonsas įvyks 2012 m. pradžioje.
