Mokslininkai iš Rice universiteto (JAV) sukūrė naują atminties tipą, kuris ateityje gali tapti alternatyva NAND „Flash“ atminčiai mobiliuosiuose įrenginiuose.
Pademonstruotas pavyzdys, sukurtas chemiko Jameso Touro vadovaujamos mokslininkų komandos, yra permatomas bei lankstus. Jis atlaiko didesnes nei 500 laipsnių pagal Celsijų temperatūras, todėl gali funkcionuoti net ekstremaliomis sąlygomis.
Šis atminties tipas sukurtas pasinaudojant dar 2010 metais padarytu išradimu. Tuomet J. Touro komandai pavyko sukurti atminties elementą silicio oksido pagrindu. Tai buvo elementas su trisluoksne struktūra, kurios centre – dielektrikas (silicio oksidas), o šonuose – puslaidininkinė plokštelė iš polikristalinio silicio, kuris veikia kaip elektrodas. Esant elektros srovei silicio oksido sluoksnyje susiformuoja laidi maždaug 5 nm storio silicio nanokristalų grandinė, kuri atlieka jungiklio vaidmenį.
Mokslininkai mano, jog parodytas atminties pavyzdys dar per žingsnį priartina mus prie lanksčios elektronikos eros: ateityje tikrai pamatysime lanksčius mobiliuosius telefonus ir nešiojamuosius kompiuterius, kurie galės transformuotis pagal vartotojo pageidavimus.
Be lankstumo ir permatomumo naujoji atmintis turi dar vieną privalumą: iš jos elementų galima sukurti trimatį masyvą. Dėl to padidėja saugomos informacijos tankis ir sumažėja įrenginio dydis. Mokslininkai jau veda derybas su visa eile gamintojų dėl naujos kartos atminties mikroschemų serijinės gamybos.
