„Samsung Electronics“ pranešė pradedanti tiekti rinkai mobiliesiems telefonams skirtą 8 gigabitų (Gb) atmintinę „OneNAND“, pagamintą pagal 30 nanometrų technologiją.
Pritaikius vieno lygmens elemento („single-level-cell“ - SLC) NAND atmintinės korpusą, naujos didelės talpos „OneNAND“ atmintinės užtikrina galimybę patikimiau saugoti duomenis išmaniuosiuose telefonuose. Šiuo metu didelės talpos atmintinės „OneNAND“ diegiamos daugelyje produktų, kurie bus išleisti iki mėnesio pabaigos, teigiama „Samsung“ pranešime.
Pasak „Samsung Electronics“ atmintinių planavimo ir diegimo padalinio viceprezidento Sejin Kimo, naujoji „OneNAND“ atmintinė ne tik padidins sumaniųjų telefonų talpą, bet ir leis įdiegti papildomas vartotojams reikalingas funkcijas
8 Gb „OneNAND“ turi patobulintas funkcijas ir patikimą SLC korpusą, teigiama bendrovės pranešime. „OneNAND“ atmintinė duomenis atkuria 70 MB/s sparta, t.y. 4 kartus greičiau, nei įprastos NAND atmintinės (17 MB/s). Ši atmintinė gali saugoti didelį kiekį duomenų, naudojamų sumaniuosiuose telefonuose su jutikliniais ekranais ir didelės raiškos savybėmis. Be to, įdiegus 30 nm technologiją, „Samsung“ padidino įrenginio efektyvumą 40 procentų, palyginus su ankstesniąja 40 nm.
Nuo 2004 m. „Samsung“ vis plačiau diegė „OneNAND“ atmintines, kurios buvo pripažintos kaip ypač funkcionalios, nes gali būti naudojamos mobiliuosiuose telefonuose neplėtojant atskiros programinės įrangos, teigiama pranešime.
„OneNAND“ informaciją įrašo greičiau nei NAND tipo atmintinės, todėl puikiai veikia kaip apsauginis atminties buferis, galintis dideliu greičiu „atkurti“ informaciją naudojant „NOR flash“ tipo sąsają.
Remiantis rinkos tyrimų bendrovės „iSuppli“ prognozėmis, pasaulinė paklausa integruojamoms NAND atmintinėms mobiliuosiuose telefonuose 2010 m. pasieks 1,1 milijardo vienetų (skaičiuojant pagal 1 GB ekvivalentą), o 2011 m. padidės daugiau nei dvigubai iki 2,5 milijardo 1 GB vienetų, sakoma pranešime.
