Agentūros „DRAMeXchange“ teigimu, populiariausių 4 GB talpos DDR3 operatyviosios atminties modulių pardavimo kainos jau pasiekė 34 JAV dolerių ribą, praneša taivaniečių leidinys „DigiTimes“. Tai reiškia, kad atminties mikroschemų tiekimo apimčių sumažėjimas dėl gaisro kompanijos „SK Hynix“ gamykloje ir toliau išlieka negatyviu veiksniu, nors „SK Hynix“ vadovybė visa tai neigė.
Šuo metu atminties modulių rinkos dalyviai nesitiki greito šios rinkos segmento atsigavimo. Apie tai byloja ir sutartinių kainų augimas, nors iki šiol dėl spekuliacinių priežasčių kainos kilo tik mažmeninėje prekyboje.
Per spalio mėnesį, lyginant su rugsėju, sutartinės DRAM mikroschemų kainos išaugo 6,25% ir pasiekė lygį, kai 1 GB kainuoja 1 JAV dolerį. Analitikai tikisi, kad kontraktinės kainos bei tos, kurios stebimos mažmeninėje prekyboje, dar labiau supanašės, o tai reiškia, kad atminties modulių brangimas bus ilgalaikis.
Po gaisro „SK Hynix“ gamykloje Kinijoje smarkiai sumažėjo DRAM atminties modulių tiekimas svarbiausiems OEM partneriams. Tai lėmė, kad antro ir trečio ešalono gamintojai nusprendė pradėti pirkti ne iš gamintojo, o iš trečiųjų šalių – atviroje rinkoje. Akivaizdu, kad tokios firmos kenčia nuo deficito, o tokia situacija tęsis ir toliau.
„SK Hynix“ šiuo metu imasi visų priemonių, kad ankstesnis gamybos lygis būtų pasiektas kuo greičiau, netgi planuojama aktyvuoti papildomas gamybines linijas, kurios anksčiau buvo skirtos „NAND Flash“ mikroschemų gamybai. Tai turėtų leisti išsaugoti esamus klientus bei jų neprarasti, juo labiau, kad pagrindinis konkurentas – kompanija „Samsung“ – jau padidino savo DRAM gamybos pajėgumus siekdamas patenkinti rinkos poreikius.
Bet kokiu atveju, rinkos analitikai mano, kad ir 2013 metų IV ketvirtyje DRAM mikroschemų deficitas išliks, tad iki kitų metų tikėtis operatyviosios atminties pigimo nevertėtų.
