Renginyje „Samsung Analyst Day“ korėjiečių kompanijos atstovai papasakojo labai daug įdomių dalykų, o „Сomputerbase.de“ stengėsi nieko nepraleisti ir viską papasakoti. Naujausia informacija susijusi su „vertikalios“ „Flash“ atminties perspektyvomis.
Priminsime, kad šių metų vasarą „Samsung“ visus nustebino pranešimu, kad pradėjo gaminti „trimatę“ 3D V-NAND MLC atmintį ir kaupiklius iš jos mikroschemų. Tai bus SSD kaupiklių 3D V-NAND serija, kurioje iš pradžių bus du 480 GB ir 960 GB talpos kaupiklių modeliai.
Konkurentai – „Micron“, „Toshiba“ ir „SK Hynix“ – ypatingu originalumu kol kas nepasižymi. Po garsaus „Samsung“ anonso jie taip pat pareiškė, jog žino, kaip gaminti 3D NAND mikroschemas, tačiau leido suprasti, kad ir su įprastinėmis 2D NAND jiems sekasi visai gerai.
„Samsung“ atvejis kiek kitoks. Korėjiečių kompanija nuolat atsilikdavo įsisavindama kuo pažangesnį technologinį procesą. Tačiau, matyt, nusprendė, kad nuolat tobulinti technologinį procesą, kaip tai daro „Toshiba“, nėra labai naudinga. „Samsung suskaičiavo, kad nuolatinis 2D NAND gamybos technologinių pajėgumų tobulinimas priverstų išlaidas padidinti maždaug 45%, tuo tarpu „vertikalios“ struktūros išlaidas padidintų tik apie 15%.
Reikia pažymėti, kad kalbama ne apie kristalų pakavimą stulpeliu naudojant TSVs tipo vertikalius kanalus, o iš tikrųjų tūrinę (3D) atminties struktūrą. Pirmasis etapas numato, kad „Samsung“ kurs 24 sluoksnių 3D V-NAND MLC, o vėliau sluoksnių kiekis bus didinamas iki 32 ir daugiau.
„Samsung“ teigia, kad nauja technologija per artimiausius 3 metus leis SSD kaupiklius atpiginti iki 50%. Atsižvelgiant į tai, kad šiuo metu aktyviai pradėta naudoti 3 bitų „Flash atmintis, galima tikėtis iš tikrųjų rimtų pokyčių SSD kaupiklių segmente. Būtina pabrėžti, kad, lyginant su „dvimate“ NAND TLC atmintimi, 3D V-NAND MLC pasižymi kur kas geresnėmis charakteristikomis – ilgaamžiškumo rodiklis yra maždaug 10 kartų didesnis, įrašymo sparta didesnė dvigubai, o energijos suvartojimas 40% mažesnis.
