Kompanijos „Hewlett-Packard“ (HP) mokslininkai pasiekė proveržį kitos kartos atminties įrenginių, vadinamų memristoriais, technologijoje. Šis atminties tipas laikomas potencialiu tokių technologijų, kaip „flash“ ir DRAM, pakaitalu.
Memristoriai yra pasyvūs mikroschemų elementai, kaip ir rezistoriai, kondensatoriai ir induktyvumo ritės. Teoriškai memristorius išpranašavo dar 1971 metais Berklio Kalifornijos universiteto profesorius Leonas Čua (Leon Chua), tačiau laboratorinis memristoriaus pavyzdys pirmą kartą buvo sukurtas 2008 metais.
Moksliniame leidinyje „Nanotechnologijos“ mokslininkai pareiškė, kad jiems pagaliau pavyko nustatyti, kokie procesai vyksta memristorių struktūroje, kai per juos teka elektros srovė bei išaiškinti cheminį viso to pagrindą.
Anksčiau, nežiūrint į tai, kad bandomieji memristorių pavyzdžiai jau funkcionavo ir buvo skelbiami komercinės gamybos planai, jų kūrėjams nebuvo žinoma, kas iš tikrųjų vyksta miniatiūrinių struktūrų viduje. Mokslininkų teigimu, šis atradimas leis žymiai pagerinti memristorių technologiją.
Memristorių tyrimui HP mokslininkai naudojo siaurakrypčius rentgeno spindulių pluoštus konkrečiam 100 nm pločio kanalui, kur vyko varžos matavimas.
Atmintis, kuri gali dirbti memristorių pagrindu, vadinama ReRAM. Ji yra energetiškai nepriklausoma, kaip ir „flash“ lustai. Tuo pat metu jos greitis gali būti lyginamas su tradicinės DRAM atminties greičiu.
Kompanijos HP vyriausiasis mokslinis darbuotojas mano, kad memristorių technologija gali būti naudojama komerciniams tikslams jau 2013 metų viduryje. Jis pažymėjo, kad šis pareiškimas nėra oficialus kompanijos pažadas. Šiuo metu kompanijai HP jau pavyko naudojant memristorius, 15 nm technologinį procesą ir ketursluoksnį atminties lustų dizainą, pasiekti 12 GB kvadratiniam centimetrui įrašymo tankį.
