Šiuo metu puslaidininkius kuriančios ir gaminančios kompanijos įsisavina 32 nm technologinį procesą, o mokslininkai, mažindami mikroschemų dydį, bando žengti visai kitu keliu. Ieškoma būdų sumažinti tranzistorių dydį naudojant naujausias medžiagas, tarp jų ir grafeną. Grafenas – viena iš anglies formų, gaunamų iš grafito, tai tik vieno atomo storio „plėvelė“. Įsivaizduokite perpjautą išilgai anglies nanovamzdelį, sudarytą iš į bičių korį panašios struktūros. Manoma, kad ateityje iš grafeno bus gaminami naujieji tranzistoriai, kurių plotis bus lygus dešimčiai atomų, o storis - tik vienas atomas.
Šiuos įspūdingus rezultatus pasiekė Mančesterio universiteto mokslininkai Andre Geimas ir Kostya Novoselovas. Jų manymu integrinėse mikroschemose naudojamus tranzistorius įmanoma sumažinti iki nesudėtingos molekulės dydžio. Gaminant tokio dydžio tranzistorius optimaliausias pasirinkimas – grafenas, išlaikantis laidumą net vieno atomo storio būsenoje.
Ateityje grafenas turėtų pakeisti silicį, nes daugelis mokslininkų prognozuoja, kad, pasiekus 10 nm technologinį procesą, daugiau sumažinti mikroschemų komponentus bus neįmanoma. Ši 10 nm riba, atsižvelgiant į progreso spartą, bus pasiekta po 10-20 metų, o tada jau mikroschemų kūrėjams turėtų į pagalbą ateiti grafenas.
Pirmąsias mikroschemas iš grafeno pamatysime dar negreitai, nes sukurti vieną atomo storio tranzistorių nėra sudėtinga, bet pagaminti iš jo mikroschemą prireiks labai tikslių instrumentų, kurie sugebėtų juvelyriškai apdoroti medžiagos atomus. Šiuo metu tai dar neišspręsta užduotis.
Remigijus Bukauskas
