darbinė atmintis

Nors daugelis tikėjosi, kad „Apple“ pagaliau nustebins savo gerbėjus ir neseniai pristatytą išmanųjį telefoną „iPhone 6 Plus“ išleis su 2 gigabaitų darbine RAM atmintimi, regis, kad toks scenarijus greičiausiai neišsipildys. Tokia nuomonė susidaro po to, kai antradienį viename korėjiečių internetiniame forume pasirodė ekranvaizdis, kuriame rodoma neva naujausio ir didžiausios įstrižainės ekraną turinčio „Apple“ telefono išsami darbinės atminties išklotinė.

Japonijoje pradėta pardavinėti DDR4 darbinės atminties moduliai, pranešė „Vr-zone.com“. DDR4 atminties privalumus pirmieji galės išbandyti būsimų kompiuterių su „Intel“ „Haswell-E“ procesoriais ir „Intel X99“ mikroschemų rinkinius turinčiomis pagrindinėmis plokštėmis savininkai. Pagal DDR4 specifikacijas atminties modulių našumas siekia nuo 1,6 iki 3,2 gigatranzakcijų per sekundę skaičiuojant vienam kontaktui.

Agentūros „DRAMeXchange“ teigimu, populiariausių 4 GB talpos DDR3 operatyviosios atminties modulių pardavimo kainos jau pasiekė 34 JAV dolerių ribą, praneša taivaniečių leidinys „DigiTimes“. Tai reiškia, kad atminties mikroschemų tiekimo apimčių sumažėjimas dėl gaisro kompanijos „SK Hynix“ gamykloje ir toliau išlieka negatyviu veiksniu, nors „SK Hynix“ vadovybė visa tai neigė. Šuo metu atminties modulių rinkos dalyviai nesitiki greito šios rinkos segmento atsigavimo.

Visa eilė 2013 m. pagamintų išmaniųjų telefonų turi po 2 GB darbinės atminties, ir jau netrukus toks atminties kiekis taps ne išimtimi, o norma, praneša „Liliputing.com“. Ekspertai prognozuoja, kad kitais metais telefonai su 1 GB atmintimi priklausys biudžetinių išmaniųjų klasei, o telefonai su 2 GB pereis į vidutinę kainos kategoriją. Tuo tarpu vadinamieji flagmaniniai modeliai bus komplektuojami su 4 GB darbine atmintimi, nes visos reikiamos sąlygos tokiam atminties kiekio didėjimui jau yra.

Nedidelė kompiuterinės atminties ir „NAND Flash“ mikroschemų gamintoja JAV kompanija „Innodisk“ pranešė, jog pradeda tiekti DDR4 standartą atitinkančius operatyvios atminties pavyzdžius. Kompanijos atstovų teigimu, tai yra pirmieji pasaulyje atminties moduliai, kuriuos siūlo kompanija, neturinti savų gamybinių pajėgumų.

Kompanijos „Hewlett-Packard“ (HP) mokslininkai pasiekė proveržį kitos kartos atminties įrenginių, vadinamų memristoriais, technologijoje. Šis atminties tipas laikomas potencialiu tokių technologijų, kaip „flash“ ir DRAM, pakaitalu. Memristoriai yra pasyvūs mikroschemų elementai, kaip ir rezistoriai, kondensatoriai ir induktyvumo ritės.

Pasirodo, „Samsung“ dirba technologijų guru, galintys tuo pat metu egzistuoti ir įprastiniame, ir nanopasaulyje. Taigi, jei „žaliosiose“ „Samsung“ atminties mikroschemose išgirsite kažką krebždant ar juokiantis, žinosite, kad ši reklama nemelavo.

„Samsung Electronics“ pranešė pagaminusi pirmąjį 32 GB dvigubos atminties modulį (LRDIMM). Šis serveriuose naudojamas modulis mažiau apkrauna atmintį bei gerina serverių veiklą reikalingą virtualizacijos, skaičiavimų ir kitos didelės apimties procesams įvykdyti, sakoma bendrovės pranešime. Pasak jos atstovų, antroje šių metų pusėje „Samsung“ pradės serijinę modulių gamybą.