10 nm
Šiame puslapyje rasite informaciją apie gairę pavadinimu „10 nm“. Visi straipsniai, video, nuotraukos, komentarai patalpinti tv3.lt naujienų portale apie gairę pavadinimu „10 nm“.
TSNC kitais metais pradės diegti 10 nm mikroschemų gamybos technologiją
Taivano bendrovė „Taiwan Semiconductor Manufacturing Company“ (TSNC) 2015 m. pradės gaminti mikroschemas pagal 10 nm tikslumo technologinį procesą, pranešė leidinys „DigiTimes“. Pasak bendrovės atstovų, trečiąjį šių metų ketvirtį lustų gamyba pagal 20 nm technologiją sudarys iki 10 proc. TSNC pajamų, o ketvirtąjį ketvirtį - iki 20 proc. Šių metų pabaigoje bendrovė pradės bandomają mikroschemų ganybą pagal 16 nm technologiją „FinFET“, pagal kurią bus naudojami 3D tranzistoriai.
„Intel“ statys 10 nm procesorių gamyklą
Bendrovė „Intel“ renka vietą būsimai savo gamyklai, kurioje procesoriai ir mikroschemos bus gaminami pagal 10 nanometrų tikslumo technologinį procesą, pranešė „CNet News“. Pranešama, kad viena iš realiausių valstybių - kandidačių, kurioje gali būti statoma ši gamykla, yra Izraelis. Pasak „Intel Israel“ generalinės direktorės Maxine'os Fassberg, sprendimas dėl šios gamyklos statybos bus priimtas per šiuos metus. Tikslesnės datos ji nenurodė.
Po 4 metų „Intel" tikisi pereiti prie 10 nm lustų gamybos technologijos
Internetinėje žiniasklaidoje pasirodė pranešimų apie naujų bendrovės „Intel" mikroprocesorių gamybos technologijų diegimo planus, skelbia „Computerbase.de".
Pranešama, kad 2013 m. „Intel" ketina pradėti lustų gamybą naudojant 14 nanometrų technologinį procesą. Juos turėtų gaminti būsimoji „Intel" gamykla „Fab 42", kurios statyba Arizonos valstijoje (JAV) bus pradėta kitų metų viduryje. Pradėjus veikti šiai gamyklai bus naudojamos 300 mm silicio plokštelės.