„Intel“ paskelbė apie pasiektą technologinį proveržį – jai pavyko sukurti pirmuosius pasaulyje trimačius tranzistorius, pavadintus „Intel“ pradėjo trimačių tranzistorių gamybą
„Intel“ paskelbė apie pasiektą technologinį proveržį – jai pavyko sukurti pirmuosius pasaulyje trimačius tranzistorius, pavadintus „Tri-Gate“ (trijų užtūrų), o taip pat ir technologiją jų pramoninei gamybai pradėti.
„Intel“ teigimu, šis pasiekimas užtikrins, kad Mūro (Moore) dėsnis, teigiantis, kad komponentų tankis mikroschemose dvigubėja maždaug kas dvejus metus, galios ir toliau. Beje, Mūro dėsnis jau veikia net 40 metų. Vadinamąja 22 nanometrų technologija gaminamos mikroschemos su šiais tranzistoriais sunaudos mažiau energijos bei bus tinkamos praktiškai visiems elektronikos prietaisams, nuo mobiliųjų telefonų iki galingų interneto serverių.
Taigi pirmą kartą po silicio tranzistorių išradimo prieš 50 metų, kuomet visą šį laiką jų gamybai buvo naudojama vadinama planarinė, arba dvimatė technologija, kai puslaidininkinių komponentų sluoksnis buvo formuojamas plokštumoje, bus masiškai pradėti gaminti tranzistoriai, turintys trimatę struktūrą.
Pirmą kartą „Intel“ apie trimačių tranzistorių kūrimą paskelbė dar 2002 metais, tačiau po to iki pat šio pranešimo žinių apie pasiekimus beveik nebuvo.
Kitos inovatyvios kompanijos, pavyzdžiui, IBM, tai pat skelbėsi kuriančios trimates puslaidininkių struktūras, tačiau dabar panašu, kad „Intel“ ją gerokai aplenkė.
Mokslininkai jau seniai pripažino, kad trimačiai puslaidininkiniai komponentai leistų toliau didinti komponentų tankį ir neatsilikti nuo Mūro dėsnio, nes dvimačiai puslaidininkiniai komponentai jau tapo tokie maži, kad praktiškai yra labai sunku dar labiau juos mažinti, nes vis labiau reiškiasi kvantiniai efektai.
„Intel“ prezidentas Paulas Otellini teigė neabejojantis, kad šis pasiekimas atvers duris kurti įvairiausiems naujos kartos elektronikos prietaisams.
„Tri-Gate“ tranzistoriai naudoja žemesnę įtampą ir yra 37 procentais efektyvesni, lyginant su „Intel“ 32 nm technologija pagamintais įprastiniais dvimačiais tranzistoriais, taip pat jie naudoja net dvigubai mažiau energijos.
Paulo Otellini teigimu, „Tri-Gate“ tranzistoriai – tai tarsi iš naujo išrasti tranzistoriai. Jie gaminami ant silicio pagrindo sukuriant mikroskopinius vertikalius išsikišimus, kuriuos elektros srovė yra valdoma iš trijų pusių – dviejų šonų ir viršaus. Įprastiniuose tranzistoriuose srovė valdoma tik vienu elektrodu, esančiu ant plokščio tranzistoriaus viršaus.
Toks būdas leidžia ypač efektyviai uždaryti tranzistorių, kad juo visiškai netekėtų srovė ir nebūtų energijos nuostolių, ir jį vėl labai greitai atverti. Kaip dangoraižiai leido miestų planuotojams efektyviau išnaudoti turimą erdvę, taip ir trimatė tranzistorių struktūra leis, juos dėstant vertikaliai, sutalpinti didesnį skaičių į tūrio vienetą. (trijų užtūrų), o taip pat ir technologiją jų pramoninei gamybai pradėti.
„Intel“ teigimu, šis pasiekimas užtikrins, kad Mūro (Moore) dėsnis, teigiantis, kad komponentų tankis mikroschemose dvigubėja maždaug kas dvejus metus, galios ir toliau. Beje, Mūro dėsnis jau veikia net 40 metų. Vadinamąja 22 nanometrų technologija gaminamos mikroschemos su šiais tranzistoriais sunaudos mažiau energijos bei bus tinkamos praktiškai visiems elektronikos prietaisams, nuo mobiliųjų telefonų iki galingų interneto serverių.
Taigi pirmą kartą po silicio tranzistorių išradimo prieš 50 metų, kuomet visą šį laiką jų gamybai buvo naudojama vadinama planarinė, arba dvimatė technologija, kai puslaidininkinių komponentų sluoksnis buvo formuojamas plokštumoje, bus masiškai pradėti gaminti tranzistoriai, turintys trimatę struktūrą.
Pirmą kartą „Intel“ apie trimačių tranzistorių kūrimą paskelbė dar 2002 metais, tačiau po to iki pat šio pranešimo žinių apie pasiekimus beveik nebuvo.
Kitos inovatyvios kompanijos, pavyzdžiui, IBM, tai pat skelbėsi kuriančios trimates puslaidininkių struktūras, tačiau dabar panašu, kad „Intel“ ją gerokai aplenkė.
Mokslininkai jau seniai pripažino, kad trimačiai puslaidininkiniai komponentai leistų toliau didinti komponentų tankį ir neatsilikti nuo Mūro dėsnio, nes dvimačiai puslaidininkiniai komponentai jau tapo tokie maži, kad praktiškai yra labai sunku dar labiau juos mažinti, nes vis labiau reiškiasi kvantiniai efektai.
„Intel“ prezidentas Paulas Otellini teigė neabejojantis, kad šis pasiekimas atvers duris kurti įvairiausiems naujos kartos elektronikos prietaisams.
„Tri-Gate“ tranzistoriai naudoja žemesnę įtampą ir yra 37 procentais efektyvesni, lyginant su „Intel“ 32 nm technologija pagamintais įprastiniais dvimačiais tranzistoriais, taip pat jie naudoja net dvigubai mažiau energijos.
Paulo Otellini teigimu, „Tri-Gate“ tranzistoriai – tai tarsi iš naujo išrasti tranzistoriai. Jie gaminami ant silicio pagrindo sukuriant mikroskopinius vertikalius išsikišimus, kuriuos elektros srovė yra valdoma iš trijų pusių – dviejų šonų ir viršaus. Įprastiniuose tranzistoriuose srovė valdoma tik vienu elektrodu, esančiu ant plokščio tranzistoriaus viršaus.
Toks būdas leidžia ypač efektyviai uždaryti tranzistorių, kad juo visiškai netekėtų srovė ir nebūtų energijos nuostolių, ir jį vėl labai greitai atverti. Kaip dangoraižiai leido miestų planuotojams efektyviau išnaudoti turimą erdvę, taip ir trimatė tranzistorių struktūra leis, juos dėstant vertikaliai, sutalpinti didesnį skaičių į tūrio vienetą.
