„Intel“ ir „STMicroelectronics“ savo partneriams išsiuntė PRAM (Parameter Random Access Memory) atminties tipo kaupiklio „Alverstone“ bandomuosius pavyzdžius. „Alverstone“ užtikrina didesnį duomenų skaitymo ir rašymo greitį, nei įprasti „flash“ atminties kaupikliai, vartoja mažiau energijos, vieno megabaito savikaina taip pat yra mažesnė.
Be to, „Alverstone“ informacijos skaitymo ir rašymo ciklų skaičius 1000 kartų viršija „flash“ atminties kaupiklių. Pasak leidinio „Inquirer“, „Alverstone“ kūrėjai jo naudojamą technologiją vadina didžiausiu pasiekimu šioje srityje per 40 metų.
„Intel“ ir „STMicroelectronics“ naująjį atminties tipą kūrė nuo 2003 m. 2006 m. „Alverstone“ buvo pradėti gaminti pagal 90 nanometrų technologinį procesą, atminties apimtis pasiekė 128 MB. Abiejų bendrovių partneriams bandyti buvo išsiųsti būtent tokios talpos kaupikliai.
